目的：把存放在H50开始的32个数据，通过变址实现，基址+偏移量定位数据位置
功能应用：欧姆龙PLC配方操作（据说是欧姆龙高级应用，网上还没有这方面的文章，花了我一晚上才测试出来）

1，取H50的地址到IR0（基地址）中，指令MOVR;
2，每次取相邻2个数据，通过W13控制偏移地址 2*W13，2*W13+1;
3，取计算偏移数据到DR0，DR1（偏移量）;
4，取计算地址的数值到D10，D12

有其他意见欢迎留言讨论。

很久很久以前的Omron CP1H操作手册上就有这部分内容.

楼上的有点顶针哈，这是应用例程，不是指令手册，单个指令介绍手册上肯定有，不需要拿到这上面来装逼，

欧姆龙PLC配方的实现不是一个IR就实现了，例程只是介绍配方控制实现的思路，上传上来主要是跟大家探讨和学习大片区域范围
内取数

还有一种解码方法（MLPX ）也可实现配方控制功能，产品越多，程序越长。

引用

引用第2楼e_newboy于2018-01-15 12:27发表的  :
楼上的有点顶针哈，这是应用例程，不是指令手册，单个指令介绍手册上肯定有，不需要拿到这上面来装逼，

欧姆龙PLC配方的实现不是一个IR就实现了，例程只是介绍配方控制实现的思路，上传上来主要是跟大家探讨和学习大片区域范围
内取数

.......

以我的水准还有必要来您面前来装逼么？

Sir，请您在觉得别人装逼前仔细看看人家说的话…………当然，看过手册的人就会知道为何欧姆龙的变址网络上很少讨论了

你觉得没用，可以略过，OK ，

看完内容再评论，我说基址+偏移量，你就找一堆变址指令过来有意思吗？

没看明白讲的是欧姆龙PLC配方控制实现思路呀？你牛你可以再总结几种P欧姆龙PLC配方实现方法上来，供大家学习




1，取H50的地址到IR0（基地址）中，指令MOVR;
2，每次取相邻2个数据，通过W13控制偏移地址 2*W13，2*W13+1;
3，取计算偏移数据到DR0，DR1（偏移量）;
4，取计算地址的数值到D10，D12

引用

引用第4楼e_newboy于2018-01-15 15:03发表的  :
你觉得没用，可以略过，OK ，

看完内容再评论，我说基址+偏移量，你就找一堆变址指令过来有意思吗？

没看明白讲的是欧姆龙PLC配方控制实现思路呀？你牛你可以再总结几种P欧姆龙PLC配方实现方法上来，供大家学习
.......

基址+偏移量不就是变址么………………

配方需要IR这种那么繁琐的变址干什么呢？直接数据区变址*，@不就完了。

    

指手画脚、吐槽的事谁都会，你可以上传你最精简的程序上来供大家学习和讨论

首先配方数据存储在掉电保持H区，H区能通过*，@取地址算你牛

引用

引用第7楼e_newboy于2018-01-15 15:37发表的  :
指手画脚、吐槽的事谁都会，你可以上传你最精简的程序上来供大家学习和讨论

首先配方数据存储在掉电保持H区，H区能通过*，@取地址算你牛

并不是只有H区能掉电保持，D区也能掉电保存........

试一试就知道了

试过了，短时间可以，断电时间长了数据全清零了，这也是为啥要把数据保存在专门的掉电保持区的原因。

引用

引用第9楼lch8478于2018-01-17 16:42发表的  :
试一试就知道了

试过了，短时间可以，断电时间长了数据全清零了，这也是为啥要把数据保存在专门的掉电保持区的原因。